一种应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201710181844.4
IPC分类号：H01Q15/00
申请日期：
2017-03-24
申请人：
深圳先进技术研究院

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专利名称	一种应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构
申请号	CN201710181844.4	申请日期	2017-03-24
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-20	公开/公告号	CN106877001A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳先进技术研究院	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳先进技术研究院	当前权利人	深圳先进技术研究院
发明人	李烨;罗超;李柔;胡小情;刘新
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	李献忠;张静

摘要

本发明涉及电磁超材料领域，提供了一种应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，以提高射频场强度，提高图像的局部信噪比。所提供的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构可以包括绕线和绝缘层，所述绕线是螺旋形的，且分布在所述绝缘层的正反两面，所述超材料结构为超材料单元结构，所述超材料单元结构的尺寸为15mm，所述铜绕线的厚度为0.07mm，所述铜绕线的圈数为7圈，所述铜绕线的线宽为0.5mm，所述铜绕线的线间距为0.10mm。该结构使得可根据实际需求调整超材料的谐振频率。相对于已有的超材料单元结构，本发明主要优点是损耗小，从而降低成本；制作简便，因此更具实用性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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