半导体发光器件以及半导体器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610077689.3
IPC分类号：H01L33/00;H01L21/20;H01L21/324;H01S5/00
申请日期：
2006-04-28
申请人：
夏普株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体发光器件以及半导体器件的制造方法
申请号	CN200610077689.3	申请日期	2006-04-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-01	公开/公告号	CN1855565
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	S·E·霍珀;V·鲍斯奎特;J·赫弗尔南
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	张政权

摘要

一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤：生长InxGa1-xN(0≤x≤1)层；在至少500℃的生长温度时在所述InxGa1-xN层上生长含铝的氮化物半导体层，使得电子气区由此形成于所述InxGa1-xN层和氮化物半导体层之间的界面处，随后，以至少800℃的温度对所述氮化物半导体层进行退火。本发明的方法可以提供具有6×1013cm-2或以上的片载流子密度的电子气。可以用具有相对较低铝浓度(诸如0.3或以下的铝摩尔分数)的含铝的氮化物半导体层获得具有这种高片载流子浓度的电子气，且不需要掺杂该含铝的氮化物半导体层或InxGa1-xN层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供