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衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810170974.2
  • IPC分类号:C23C16/455;C23C16/52
  • 申请日期:
    2018-03-01
  • 申请人:
    株式会社日立国际电气
著录项信息
专利名称衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
申请号CN201810170974.2申请日期2018-03-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-10-16公开/公告号CN108660438A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2查看分类表>
申请人株式会社日立国际电气申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社国际电气当前权利人株式会社国际电气
发明人高木康祐;山腰莉早;堀田英树;平野敦士
代理机构北京市金杜律师事务所代理人杨宏军;李文屿
摘要
本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为,控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布。衬底处理装置具有:处理室,对衬底进行形成包含主元素的膜的处理;第一喷嘴,对处理室内的衬底供给包含主元素的原料;第二喷嘴,设置于与第一喷嘴分开的位置,对处理室内的衬底供给原料;第三喷嘴,对处理室内的衬底供给反应物;和将处理室内的气氛排气的多个排气口,其中,在俯视下,多个排气口分别设置于与第一喷嘴的第一气体喷出孔及第二喷嘴的第二气体喷出孔不相对的位置。

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