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离子注入机的作业平台

实用新型有效专利
  • 申请号:
    CN202020455344.2
  • IPC分类号:H01J37/317
  • 申请日期:
    2020-04-01
  • 申请人:
    上海临港凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称离子注入机的作业平台
申请号CN202020455344.2申请日期2020-04-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/317IPC分类号H01J37/317查看分类表>
申请人上海临港凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司申请人地址
上海市浦东新区南汇新城镇竹柏路750号2*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海临港凯世通半导体有限公司,上海凯世通半导体股份有限公司当前权利人上海临港凯世通半导体有限公司,上海凯世通半导体股份有限公司
发明人夏世伟;陈炯;王占柱;杨立军;王辉;杰夫·贝克;洪俊华;李轩;陈克禄;刘志峰
代理机构上海弼兴律师事务所代理人薛琦;杨东明
摘要
本发明公开了一种离子注入机的作业平台,包括EFEM、两个Loadlock、VTM和PTM,EFEM、Loadlock和VTM沿着第一方向依次排布,两个Loadlock平行地设置于EFEM和VTM之间,PTM在第二方向上与VTM相连,第一方向与第二方向不平行,VTM用于在真空状态下在每个Loadlock和PTM之间传输硅片;PTM用于在真空中采用离子束对硅片进行加工,所述PTM包括扫描机器人和离子束收集装置,所述离子束收集装置位于PTM的远离所述扫描机器人的一端并且在第二方向上与VTM相间隔。由此使得硅片免受沉积于离子束收集装置中污染物的影响。

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