提取电阻模型长度偏差值的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910196448.4
IPC分类号：G01B7/04
申请日期：
2009-09-25
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	提取电阻模型长度偏差值的方法
申请号	CN200910196448.4	申请日期	2009-09-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-10	公开/公告号	CN101666613
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B7/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B7/00 以采用电或磁的方法为特征的计量设备 G01B7/02 用于计量长度、宽度或厚度（G01B 7/004，G01B 7/12优先）〔6〕 G01B7/04 专用于物体移动时计量其长度或宽度	IPC分类号	G;0;1;B;7;/;0;4查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	张欣
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提出一种电阻建模中萃取电阻模型长度偏差值的方法，包括以下步骤：将多个电阻被测器件置于相同的温度中，依次用强度不同的多个电场分别加在这些电阻被测器件上，这些电阻被测器件是利用相同工艺制造出，理想宽度相同，理想长度不同；测量流经不同电阻被测器件的电流，计算不同电阻被测器件的电阻值；以及分别拟合相同强度电场下电阻模型的理想长度与电阻值的关系曲线，不同强度电场的曲线交点的横坐标即为电阻模型的长度偏差值。本发明提供了一种全新的通过拟合曲线的方式来萃取电阻建模的长度偏差值，萃取方式简单可行，萃取得到的长度偏差值加入到模拟过程的参数设置中，使得模拟结果更为精确可信。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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