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平衡负载存储器和操作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03815293.2
  • IPC分类号:G11C7/06;G11C7/14;G11C7/18
  • 申请日期:
    2003-04-24
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称平衡负载存储器和操作方法
申请号CN03815293.2申请日期2003-04-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2005-09-07公开/公告号CN1666289
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C7/06IPC分类号G;1;1;C;7;/;0;6;;;G;1;1;C;7;/;1;4;;;G;1;1;C;7;/;1;8查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
美国亚利桑那 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人艾沃思宾技术公司当前权利人艾沃思宾技术公司
发明人奇特拉·K.·萨布拉曼尼;布拉德利·J.·加尼;约瑟夫·J.·纳哈斯;哈尔伯特·S.·林;托马斯·W.·安德利
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人李德山
摘要
存储器(10)提供了一种在数据到读放大器(24)所取的理由与基准或各基准到该读放大器所取的理由之间维持阻抗平衡的读出解决方案。该存储器的每个子阵列(14,18)具有相邻的列解码器(20,22),该相邻列解码器使数据耦合到也与子阵列相邻而且可以看作列解码器的一部分的数据线(37、51、41、63)。使选择的子阵列的数据通过其相邻数据线路由选择到读放大器。作为选择的子阵列的一部分的基准耦合到未选择的子阵列的数据线。因此,对于MRAM型存储器,该基准优选非常接近选择的数据的存储单元,它穿过与数据所取的路由阻抗平衡的、到达读放大器(24)的路由。

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