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一种高压直流盆式绝缘子粗糙度提高闪络电压处理方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010072380.5
  • IPC分类号:H01B19/04
  • 申请日期:
    2020-01-21
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种高压直流盆式绝缘子粗糙度提高闪络电压处理方法
申请号CN202010072380.5申请日期2020-01-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-06公开/公告号CN113223787A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01B19/04IPC分类号H;0;1;B;1;9;/;0;4查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人杜伯学;刘浩梁;李进;梁虎成;冉昭玉;王泽华;姚航
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人程小艳
摘要
本发明公开一种高压直流盆式绝缘子粗糙度提高闪络电压处理方法,将含氟有机物气体通入离子刻蚀机中电离出等离子体,轰击直流盆式绝缘子表面,形成不同粗糙程度的表面沉积,得到不同表面电导率的高压直流盆式绝缘子,包括如下步骤:1)采用含氟有机物气体作为等离子体刻蚀工作气体;2)采用离子刻蚀机作为刻蚀激励源;3)将绝缘子置入离子刻蚀机进行不同时长刻蚀处理,得到不同粗糙度,不同闪络电压的绝缘子。用于解决因表面电荷积聚引起的绝缘子沿面闪络问题。

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