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N＜100＞衬底扩散、抛光工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN02114201.7
IPC分类号：--
申请日期：
2002-06-13
申请人：
衡阳科晶微电子有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	N＜100＞衬底扩散、抛光工艺
申请号	CN02114201.7	申请日期	2002-06-13
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-12-31	公开/公告号	CN1464525
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	衡阳科晶微电子有限公司	申请人地址	湖南省衡阳市易家塘七号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	衡阳科晶微电子有限公司	当前权利人	衡阳科晶微电子有限公司
发明人	刘桂芝;符孝权;梁晓玲;邓泳梅
代理机构	衡阳市科航专利事务所	代理人	傅戈雁

摘要

本发明公开的N<100>衬底扩散、抛光工艺，其包括磷预扩散、磷主扩散、磨片、抛光、清洗等步骤。本发明采用N<100>单晶片来制做VDMOS管，提高了产品的性能同时也降低了成本，且所采用的扩散、抛光工艺简单可行。

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