一种图形化外延生长的方法及在集成电路中的应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010285871.8
IPC分类号：H01L21/02;C30B25/04
申请日期：
2020-04-13
申请人：
艾华（无锡）半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种图形化外延生长的方法及在集成电路中的应用
申请号	CN202010285871.8	申请日期	2020-04-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-31	公开/公告号	CN111477538A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;4查看分类表>
申请人	艾华（无锡）半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾华（无锡）半导体科技有限公司	当前权利人	艾华（无锡）半导体科技有限公司
发明人	宣荣卫;吕俊
代理机构	连云港联创专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	刘刚

摘要

本发明公开了一种图形化外延生长的方法及在集成电路中的应用，该图形化外延生长的方法是利用化学气相生长(CVD)原理，前驱物气体覆盖(或吸附)在晶圆表面，在激光作用下发生反应，并沉积在晶圆上，没有激光作用，前驱体不发生反应或反应缓慢，在激光作用下，前驱体发生反应或加快反应，激光对晶圆损伤非常微弱，激光应选用短波长脉冲激光，激光扫描图形受到电脑编程控制，在同一工序中通入不同的前驱体，同一工序可制备一层或多层图形化薄膜，进而完成元件的制备与集成；该一种图形化外延生长的方法及在集成电路中的应用，大大简化制程工艺，减少制程工序，成本和成品率潜在优势巨大，可绕开光刻和刻蚀等超高技术设备，减少投产难度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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