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有源基板及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811495818.X
  • IPC分类号:B81B7/00;B81C1/00
  • 申请日期:
    2018-12-07
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学
著录项信息
专利名称有源基板及其制备方法
申请号CN201811495818.X申请日期2018-12-07
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2019-04-09公开/公告号CN109592634A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B81B7/00IPC分类号B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院大学当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院大学
发明人徐高卫;胡正高;盖蔚;吴亚明
代理机构上海泰能知识产权代理事务所代理人宋缨
摘要
本发明提供一种有源基板及其制备方法,有源基板包括:基板,基板的上表面形成有凹槽;MEMS器件,位于凹槽的底部;金属互连结构,与MEMS器件电连接,且自MEMS器件沿凹槽的侧壁延伸至基板的上表面;盖板,盖板卡置于凹槽的内部,以在盖板与MEMS器件底部之间形成密封空腔;第一钝化层,位于基板的上表面上;重新布线层,位于第一钝化层上;第二钝化层,位于第一钝化层的上表面;所述第二钝化层上形成有开口,开口暴露出的部分重新布线层作为焊盘。本发明提供的有源基板中凹槽与盖板卡置咬合实现盖板的安装,省去了传统的盖板键合工艺;本发明的有源基板采用盖板将MEMS器件密封在密封空腔内,避免颗粒及湿气等对MEMS器件的影响,提高了MEMS器件的可靠性。

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