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一种低粗糙度硅抛光片的加工方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710044155.5
IPC分类号：B24B29/00;B24B1/00;H01L21/304;C09G1/04
申请日期：
2007-07-24
申请人：
上海光炜电子材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低粗糙度硅抛光片的加工方法
申请号	CN200710044155.5	申请日期	2007-07-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-01-28	公开/公告号	CN101352829
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B29/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B29/00 有或没有使用固体或液体抛光剂并利用柔软材料或挠性材料制作的工具进行工件表面抛光的机床或装置（使用砂带磨削或抛光入B24B 21/00）〔4〕	IPC分类号	B;2;4;B;2;9;/;0;0;;;B;2;4;B;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;C;0;9;G;1;/;0;4查看分类表>
申请人	上海光炜电子材料有限公司	申请人地址	江苏省无锡市锡山经济技术开发区团结中路31号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡光炜电子材料有限公司	当前权利人	无锡光炜电子材料有限公司
发明人	李继光;顾凯峰
代理机构	上海世贸专利代理有限责任公司	代理人	严新德

摘要

一种低粗糙度硅抛光片的加工方法，包括一个利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程，该过程中顺序包括有粗抛过程、中抛过程和精抛过程，在精抛过程中，利用抛光布对硅单晶片进行抛光加工，在抛光布和硅单晶片表面之间引进精抛浆，精抛浆由纯水和活化剂组成。本发明加工的硅片的表面粗糙度可以提高到3-5，性能稳定，电阻率均匀。

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