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等离子体化学气相沉积基座温度控制方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010278693.2
  • IPC分类号:C23C16/46;C23C16/52
  • 申请日期:
    2010-09-07
  • 申请人:
    理想能源设备(上海)有限公司
著录项信息
专利名称等离子体化学气相沉积基座温度控制方法
申请号CN201010278693.2申请日期2010-09-07
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-01-19公开/公告号CN101949009A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/46IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;6;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2查看分类表>
申请人理想能源设备(上海)有限公司申请人地址
上海市松江区思贤路3255号3幢403室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海理想万里晖薄膜设备有限公司当前权利人上海理想万里晖薄膜设备有限公司
发明人张德义;谢林
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种等离子体化学气相沉积基座温度控制方法,包括:提供具有电阻丝的等离子体化学气相沉积基座和基座加热的目标温度;根据所述基座的原始温度和所述基座加热的目标温度,获得所述目标温度与所述原始温度的总温度差;根据所述总温度差决定设定温度梯度的个数以及各温度梯度内温度的数值范围;按照所述设定的温度梯度,对所述电阻丝加热使所述基座依次按照各温度梯度内温度的数值范围升温,其中,对最后一个温度梯度的升温参数进行控制,使得所述基座温度在达到所述目标温度后基座温度的波动幅度满足工艺需求。采用本发明温度控制方法,基座温度达到目标温度的波动幅度小,采用本发明提供的控温方法形成的非晶硅薄膜或者微晶薄膜质量高。

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