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制造半导体器件中的电感的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410056566.2
IPC分类号：--
申请日期：
2004-08-10
申请人：
海力士半导体有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造半导体器件中的电感的方法
申请号	CN200410056566.2	申请日期	2004-08-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-13	公开/公告号	CN1638035
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	崔璟根
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件中的电感的方法。通过以相同图形或不同图形进行至少两次金属镶嵌工艺来很厚地形成用于电感的布线，从而降低电阻并获得良好的Q(品质)因数。因此，本发明具有能提高工艺可靠性和器件电特性的效果。

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