嵌入式芯片封装及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010255623.9
IPC分类号：H01L23/29;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
申请日期：
2020-04-02
申请人：
珠海越亚半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	嵌入式芯片封装及其制造方法
申请号	CN202010255623.9	申请日期	2020-04-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-18	公开/公告号	CN111554639A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	珠海越亚半导体股份有限公司	申请人地址	广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	珠海越亚半导体股份有限公司	当前权利人	珠海越亚半导体股份有限公司
发明人	陈先明;冯进东;黄本霞;冯磊;王闻师
代理机构	北京风雅颂专利代理有限公司	代理人	李翔;李弘

摘要

本申请公开了一种嵌入式芯片封装，所述芯片封装包括至少一个芯片和包围所述至少一个芯片的框架，所述芯片具有被芯片高度分隔开的端子面和背面，所述框架的高度等于或大于所述芯片的高度，其中所述芯片和所述框架之间的间隙完全被感光型聚合物介电材料填充，所述芯片的端子面与所述框架共平面，并且在所述芯片的端子面上设置有第一布线层，在所述芯片的背面上设置有第二布线层。还公开了一种嵌入式芯片封装的制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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