稀土铽配合物的电致发光器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200910080621.4
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/54;C07F5/00
申请日期：
2009-03-24
申请人：
北京大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	稀土铽配合物的电致发光器件
申请号	CN200910080621.4	申请日期	2009-03-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-08-12	公开/公告号	CN101504972
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;C;0;7;F;5;/;0;0查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	卞祖强;陈朱琦;丁飞;黄春辉
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李稚婷

摘要

本发明公开了稀土铽配合物的电致发光器件，该器件具有双发光层，由靠近阳极、具有较强空穴传输能力的第一发光层和靠近阴极、电子传输能力较好的第二发光层共同组成，构成第一发光层的铽配合物的配体为阴离子配体吡唑啉酮衍生物，而构成第二发光层的铽配合物既含有吡唑啉酮衍生物作为阴离子配体，还含有中性配体三苯基氧膦衍生物。在本发明的电致发光器件中，由于两层发光层材料的载流子传输能力不同，分别能很好的传递空穴和电子，使激子主要产生于双发光层的界面处或层内，即使在高电压高亮度下，激子仍然被局域在双发光层中，可以得到了高效高纯度的稀土离子的特征发射，从而改进电致发光的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供