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功率半导体设备及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310182197.0
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2013-05-16
  • 申请人:
    三星电机株式会社
著录项信息
专利名称功率半导体设备及其制造方法
申请号CN201310182197.0申请日期2013-05-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103872097A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人三星电机株式会社申请人地址
韩国*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电机株式会社当前权利人三星电机株式会社
发明人严基宙;宋寅赫;张昌洙;朴在勋;徐东秀
代理机构北京润平知识产权代理有限公司代理人陈潇潇;肖冰滨
摘要
本发明提供了一种功率半导体设备,该设备包括形成在有源区内的触点,从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅,形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱,形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分,以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

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