半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010317523.4
IPC分类号：H01L21/329;H01L29/872;H01L29/20;H01L29/40
申请日期：
2020-04-21
申请人：
上海芯元基半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法
申请号	CN202010317523.4	申请日期	2020-04-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-17	公开/公告号	CN111430237A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/329 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/329 包括1个或两个电极的器件，例如二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	上海芯元基半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海芯元基半导体科技有限公司	当前权利人	上海芯元基半导体科技有限公司
发明人	郝茂盛;袁根如;张楠;陈朋;马艳红
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	佟婷婷

摘要

本发明提供一种半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管的制备方法包括：提供具有凹槽结构的生长基底，生长第一N型氮化镓层及第二N型氮化镓层，剥离生长衬底，形成阴极金属层及阳极金属层。本发明在生长基底上进行侧向外延生长形成第一N型氮化镓层，可以提高氮化镓晶体质量，提高表面平整度，减少晶体缺陷，制作垂直结构的肖特基二极管，有利于承受较大的电流及电压，另外，设置阴阳电极上下平行错开，有利于避免两电极直接对冲击穿芯片，提高氮化镓肖特基二极管的耐压特性与降低其漏电流。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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