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窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910244847.3
  • IPC分类号:H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/18
  • 申请日期:
    2009-12-17
  • 申请人:
    南开大学
著录项信息
专利名称窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法
申请号CN200910244847.3申请日期2009-12-17
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2010-06-16公开/公告号CN101740648A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/042
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;4;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人南开大学申请人地址
天津市南开区卫津路94号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南开大学当前权利人南开大学
发明人张建军;尚泽仁;倪牮;曹宇;王先宝;赵颖;耿新华
代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司代理人侯力
摘要
一种窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池,包括透明衬底、透明导电薄膜、窗口层、本征层、N+层和金属背电极,窗口层为p型微晶硅锗薄膜;该p型微晶硅锗薄膜的制备方法,步骤为:1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内,本底真空高于2×10-4Pa;2)在向反应室通入反应气体硅烷、氟化锗、硼烷和氢气的条件下,沉积p型微晶硅锗薄膜。本发明的优点是:该硅锗薄膜太阳电池结构新颖;制备的p型微晶硅锗薄膜材料具有带隙和晶化率可调、电导率高的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低;采用该材料的硅锗薄膜太阳电池优化了电池p/i的界面匹配,改善了界面特性,有利于提高电池效率。

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