一种纳米级Sn/SiC复合镀层的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110023904.2
IPC分类号：C25D15/00;C25D3/32
申请日期：
2011-01-21
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	一种纳米级Sn/SiC复合镀层的制备方法
申请号	CN201110023904.2	申请日期	2011-01-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-11	公开/公告号	CN102051657A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D15/00 含嵌入材料，例如颗粒、须、丝之覆层的电解或电泳生产〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;5;/;0;0;;;C;2;5;D;3;/;3;2查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	安茂忠;初红涛;张锦秋;杨培霞
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	韩末洙

摘要

一种纳米级Sn/SiC复合镀层的制备方法，涉及一种Sn/SiC复合镀层的制备方法。本发明是要解决目前纯锡镀层易生长锡须、机械性能差，以及常规纳米复合镀技术中纳米颗粒不易在阴极上共沉积的问题。制备方法：一、将SiC纳米颗粒用甲磺酸浸泡，然后加入分散剂，搅拌，之后依次加入甲磺酸亚锡、光亮剂、共沉积促进剂和主盐稳定剂组成电镀液；二、将阴极铜箔与纯锡阳极板平行放置于镀液中；三、调整阴极电流密度，机械搅拌和施镀交替进行，并始终保持压缩氮气搅拌，即完成纳米级Sn/SiC复合镀层的制备。制备的纳米级Sn/SiC复合镀层在抑制锡须生长、耐腐蚀性、硬度等方面都有显著提高。应用于可焊性电镀领域。

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