加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

电子制品及形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201080070075.7
  • IPC分类号:H01L31/0216;H01L33/44
  • 申请日期:
    2010-09-22
  • 申请人:
    道康宁公司
著录项信息
专利名称电子制品及形成方法
申请号CN201080070075.7申请日期2010-09-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-07-10公开/公告号CN103201845A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4查看分类表>
申请人道康宁公司申请人地址
美国密歇根州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人道康宁公司当前权利人道康宁公司
发明人大卫·德沙泽尔;U·佩尔尼茨;L·赞伯夫
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司代理人周靖;郑霞
摘要
本发明公开了一种电子制品,所述电子制品包括具有3.7±2的折射率的光电半导体和设置在所述光电半导体上的介质层。所述介质层具有至少50μm的厚度和1.4±0.1的折射率。所述电子制品包括梯度折射率涂层(GRIC),所述梯度折射率涂层设置在所述光电半导体上并且具有50至400nm的厚度。GRIC的折射率沿厚度从2.7±0.7变动至1.5±0.1。GRIC还沿厚度包括碳化物和碳氧化物的梯度。所述碳化物和所述碳氧化物各自独立地包括至少一个硅原子或锗原子。通过使用双频配置的等离子体增强化学气相沉积连续沉积所述GRIC并且随后将所述介质层设置在所述GRIC上,形成所述制品。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供