高散热绝缘之发光二极管封装材料

发明专利无效专利

申请号：
CN200510112670.3
IPC分类号：H01L23/373;H01L33/00
申请日期：
2005-10-14
申请人：
陈鸿文

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专利名称	高散热绝缘之发光二极管封装材料
申请号	CN200510112670.3	申请日期	2005-10-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-05-17	公开/公告号	CN1773697
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/373 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/373 为便于冷却的器件材料选择〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	陈鸿文	申请人地址	北京市海淀区学院路30号北京科技大学材料学院功能所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陈鸿文	当前权利人	陈鸿文
发明人	陈鸿文
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种高散热绝缘之发光二极管封装材料，为一种金刚石的绝缘散热体结构，此绝缘散热封装结构可提高发光二极管大功率的使用条件。该大功率型发光二极管包括发光芯片及绝缘散热封装体等。发光芯片的发热可由金刚石或金刚石复合材料封装散热层接引排出；或由芯片阴极导热承载体连接绝缘的金刚石或金刚石复合材料散热层，再连接外部散热器接引而排出。如此，形成一散热效率高并具有简易封装结构的大功率型发光二极管。

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