双管芯半导体封装

发明专利有效专利

申请号：
CN201010004666.6
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367
申请日期：
2010-01-20
申请人：
飞思卡尔半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	双管芯半导体封装
申请号	CN201010004666.6	申请日期	2010-01-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-20	公开/公告号	CN102130098A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;2;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人	飞思卡尔半导体公司	申请人地址	美国得克萨斯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩智浦美国有限公司	当前权利人	恩智浦美国有限公司
发明人	黄美权;刘赫津;徐文建;叶德洪
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	刘倜

摘要

本发明涉及双管芯半导体封装，其在衬底的基表面上具有电接触的栅格阵列。存在基表面被安装到衬底的上表面的第一半导体管芯，且该第一半导体管芯在上表面上具有电连接到各自的栅格阵列的电接触的第一管芯上表面外部电连接垫。还存在基表面被安装到引线框标志板的上表面的第二半导体管芯。在第二半导体管芯的上表面上有第二管芯上表面外部电连接垫。该双管芯半导体封装包括引线，且至少一些引线电连接到各自的垫，所述垫提供第二管芯上表面外部电连接垫。封装体至少部分包围第一半导体管芯和第二半导体管芯。栅格阵列的电接触和每个引线的一部分从封装体凸出以形成外部封装电连接。此外，通过封装体暴露在第二半导体管芯正下方的引线框标志板的基表面的至少一部分，并且所述至少一部分提供热沉。

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