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一种SiC材料清洗方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310744030.9
IPC分类号：H01L21/02;B08B3/04
申请日期：
2013-12-30
申请人：
国家电网公司;国网智能电网研究院

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种SiC材料清洗方法
申请号	CN201310744030.9	申请日期	2013-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103681246A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;B;0;8;B;3;/;0;4查看分类表>
申请人	国家电网公司;国网智能电网研究院	申请人地址	北京市西城区西长安街86号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家电网公司,国网智能电网研究院	当前权利人	国家电网公司,国网智能电网研究院
发明人	陆敏;张昭;田亮;杨霏
代理机构	北京安博达知识产权代理有限公司	代理人	徐国文

摘要

本发明涉及SiC器件的制作工艺，具体涉及一种SiC材料清洗方法。该方法包括SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗、常规有机清洗，关键的工艺改进是在氧等离子体氧化成膜过程中增加了其它含氧混合等离子体气体。本发明解决了以往只采用氧气等离子体氧化工艺的成膜效率低的问题，可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜，该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗。

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