加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

铁离子印迹硅胶的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910112759.8
  • IPC分类号:B01J20/286;B01J20/30
  • 申请日期:
    2009-11-03
  • 申请人:
    厦门大学
著录项信息
专利名称铁离子印迹硅胶的制备方法
申请号CN200910112759.8申请日期2009-11-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-05-26公开/公告号CN101711975A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J20/286IPC分类号B;0;1;J;2;0;/;2;8;6;;;B;0;1;J;2;0;/;3;0查看分类表>
申请人厦门大学申请人地址
福建省厦门市思明南路422号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门大学当前权利人厦门大学
发明人黄晓佳;林建斌;袁东星
代理机构厦门南强之路专利事务所代理人马应森
摘要
铁离子印迹硅胶的制备方法,涉及一种印迹硅胶。提供一种铁离子印迹硅胶的制备方法。将硅胶用酸溶液浸泡,洗涤至中性,烘干得活化硅胶;将含铁离子的盐置于溶剂中加热搅拌至固体溶解得混合物,加入巯丙基硅烷,加热搅拌回流,加入活化硅胶继续加热搅拌回流得铁离子印迹硅胶初产物,过滤,用溶剂洗涤至无杂质检出,然后用酸浸泡至无铁离子印迹硅胶检出,最后用水洗涤铁离子印迹硅胶至中性,烘干得最后产物。以巯丙基硅烷为功能单体,利用分子印迹的合成技术。制备过程简便、易操作,所得铁离子印迹硅胶对铁离子具有较高的吸附容量和一定的吸附选择性能,可将所合成的铁离子印迹硅胶装填成固相萃取小柱,用于水样中铁离子的选择性萃取。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供