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一种复合结构SiC衬底器件的切割方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510636025.5
  • IPC分类号:H01L21/78
  • 申请日期:
    2015-09-30
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第五十五研究所
著录项信息
专利名称一种复合结构SiC衬底器件的切割方法
申请号CN201510636025.5申请日期2015-09-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-17公开/公告号CN105336686A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/78IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第五十五研究所申请人地址
江苏省南京市中山东路524号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第五十五研究所当前权利人中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人刘昊;陈刚;柏松
代理机构南京君陶专利商标代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明是一种复合结构SiC芯片的切割方法,采用砂轮切割在划片槽区域把复合结构SiC芯片进行切割分离。通过先形成复合结构SiC芯片完成圆片;再测量其厚度;把SiC芯片完成圆片贴在切割片架上的蓝膜或UV膜上;测量其总厚度;应用第一切割条件切割开多层介质到SiC外延层,再针对SiC衬底应用第二切割条件切割到SiC衬底中,应用第三切割条件切割到SiC衬底与背面金属界面处,最后应用第四切割条件切割到背面多层金属厚度的1/2处,最终裂片分离SiC芯片。优点可以很安全地实现复合结构SiC芯片的切割分离,有效减小复合结构中多层介质、SiC衬底及外延层、背面金属的崩边及损伤,提高SiC芯片的良品率和切割效率。

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