一种沟槽型IGBT及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210540052.9
IPC分类号：H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331
申请日期：
2012-12-13
申请人：
中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种沟槽型IGBT及其制造方法
申请号	CN201210540052.9	申请日期	2012-12-13
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-18	公开/公告号	CN103872114A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/739 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/739 受场效应控制的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所,上海联星电子有限公司,江苏中科君芯科技有限公司	当前权利人	中国科学院微电子研究所,上海联星电子有限公司,江苏中科君芯科技有限公司
发明人	张文亮;朱阳军;陆江;赵佳;左小珍
代理机构	北京华沛德权律师事务所	代理人	刘丽君

摘要

本发明公开了一种沟槽型IGBT及其制造方法，属于半导体器件技术领域。该沟槽型IGBT包括发射极、栅氧、P-基区、N-漂移区，栅氧镶嵌于沟槽中，发射极呈L型，L型发射极的一条边形成于沟槽的侧壁，L型发射极的另一条边水平覆盖于P-基区上，相邻的两个沟槽之间相邻的两个L型发射极之间形成接触孔。该沟槽型IGBT发射极为L型，闩锁电流密度提高，元胞密度增加，设计时的自由度提升。本发明还公开了基于该沟槽型IGBT的制造方法，该方法包括向P-基区顶部位于沟槽之外的区域分别大角度左、右注入N型杂质，形成N型杂质层；对N型杂质层进行掩膜光刻，同时形成L型发射极和接触孔。该方法工艺简单、成本低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供