氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201580001462.8
IPC分类号：C30B29/38;H01L33/02
申请日期：
2015-06-25
申请人：
日本碍子株式会社

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著录项信息

专利名称	氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法
申请号	CN201580001462.8	申请日期	2015-06-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-08	公开/公告号	CN105658849A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/38 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/38 氮化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	日本碍子株式会社	申请人地址	日本国爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本碍子株式会社	当前权利人	日本碍子株式会社
发明人	渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭
代理机构	北京旭知行专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王轶;李伟

摘要

本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。

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