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半导体器件的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510192196.3
  • IPC分类号:H01L21/027
  • 申请日期:
    2015-04-20
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的形成方法
申请号CN201510192196.3申请日期2015-04-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-23公开/公告号CN106158595A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/027IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人张海洋;张城龙
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人应战;吴敏
摘要
一种半导体器件的形成方法,包括:提供待刻蚀层,所述待刻蚀层表面形成有初始光刻胶膜;对所述初始光刻胶膜进行光刻工艺,形成具有第一线宽粗糙度的光刻胶层;对所述光刻胶层进行侧壁回流修复处理,侧壁回流修复处理后的光刻胶层具有小于第一线宽粗糙度的第二线宽粗糙度;在所述侧壁回流修复处理之后,在所述光刻胶层顶部表面和侧壁表面形成固化层;在所述固化层上形成尺寸修复层。本发明减小刻蚀待刻蚀层的掩膜图形的线宽粗糙度,且使掩膜图形的尺寸与预设目标尺寸一致,提高了形成的半导体器件的性能和良率。

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