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发光二极管封装结构的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110239720.X
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L33/48;H01L25/075
  • 申请日期:
    2011-08-19
  • 申请人:
    展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管封装结构的制造方法
申请号CN201110239720.X申请日期2011-08-19
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2013-03-06公开/公告号CN102956757A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司申请人地址
广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司当前权利人展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
发明人罗杏芬
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:提供一晶圆层及一具有挠性的第一基板,所述第一基板一侧设置有一玻璃层,将所述晶圆层的一侧表面贴设在所述玻璃层上;于所述晶圆层背向玻璃层的一侧表面上形成若干间隔的图形化金属层;切割所述晶圆层及玻璃层,从而形成若干发光二极管晶粒;拉伸所述第一基板,使得所述发光二极管晶粒相互分离;提供一侧表面形成有电路结构的一第二基板,使晶粒的金属层与第二基板的电路结构电性连接并使晶粒固定于第二基板一侧;移除所述第一基板,形成若干发光二极管粗胚;封装所述粗胚,使第二基板一侧形成一完全覆盖所述晶粒的封装层。

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