金属半导体化合物薄膜和DRAM存储单元及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110063882.2
IPC分类号：H01L29/43;H01L27/108;H01L21/283;H01L21/02;H01L21/8242
申请日期：
2011-03-17
申请人：
复旦大学

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专利名称	金属半导体化合物薄膜和DRAM存储单元及其制备方法
申请号	CN201110063882.2	申请日期	2011-03-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-14	公开/公告号	CN102184946A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/43 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/43 以形成材料为特征的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	吴东平;张世理;朱志炜;张卫
代理机构	上海晨皓知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	卢刚

摘要

本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜，形成于半导体层与多晶半导体层之间，其厚度为2～5nm，从而改善所述半导体层与多晶半导体层之间的接触；还公开了一种DRAM存储单元，该存储单元中的MOS晶体管的漏区与多晶半导体缓冲层之间加入金属半导体化合物薄膜，且其厚度为2～5nm，从而可在提高晶体管的读写速度的同时，避免所述漏区与硅衬底之间的漏电流过度增大；同时，还公开了一种DRAM存储单元的制备方法，该方法形成的DRAM存储单元，其MOS晶体管器件的漏区与多晶半导体缓冲层之间形成有金属半导体化合物薄膜，且所述金属半导体化合物薄膜的厚度控制在2～5nm，从而可提高DRAM存储单元的性能。

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