一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310061898.9
IPC分类号：H01L31/18
申请日期：
2013-02-27
申请人：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司

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专利名称	一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法
申请号	CN201310061898.9	申请日期	2013-02-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-26	公开/公告号	CN103178157A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司	当前权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明人	张为国;龙维绪;王栩生;章灵军
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	陶海锋;陆金星

摘要

本发明公开了一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗，制绒；(2)生长有源掺杂剂；(3)将硅片置于扩散炉中，降温至500~550℃；(4)待温度稳定后，通入N2和O2进行氧化；(5)以5~10℃/min的升温速度升温至850~870℃，待温度稳定后通入携磷源气体进行扩散；(6)保持上述温度，通入N2和O2进行恒温推进；(7)降温出舟；(8)清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结，即可得到选择性发射极多晶硅太阳电池。本发明开发了一种新的制备选择性发射极晶体硅太阳电池的方法，该方法的制备成本较低，制备时间较短，且可与现有标准电池工艺兼容，具有产业化前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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