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嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510707673.5
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/02
  • 申请日期:
    2015-10-27
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法
申请号CN201510707673.5申请日期2015-10-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-20公开/公告号CN105261567A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人高剑琴;谭俊
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云
摘要
本发明提供一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层,所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构;在所述外延锗硅层上方形成单晶硅层,所述单晶硅层包覆所述外延锗硅层;在所述单晶硅层上形成多晶硅层,所述多晶硅层与单晶硅层共同构成盖帽层;对所述盖帽层依次进行退火工艺和镍硅化工艺。本发明解决了现有技术无法在嵌入式外延锗硅层上形成完全包覆外延锗硅层的盖帽层的问题,防止后续的镍硅化物工艺与外延锗硅层的锗硅的反应,改善因此带来的应力问题。

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