用于DNA原位合成的可编程UV－LED阵列芯片

发明专利无效专利

申请号：
CN200810157099.0
IPC分类号：H01L27/15;H01L21/82;H05B37/02;C07H21/00
申请日期：
2008-09-18
申请人：
苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于DNA原位合成的可编程UV－LED阵列芯片
申请号	CN200810157099.0	申请日期	2008-09-18
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-02-11	公开/公告号	CN101364608
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;5;B;3;7;/;0;2;;;C;0;7;H;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州纳米技术与纳米仿生研究所	申请人地址	江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州纳米技术与纳米仿生研究所	当前权利人	苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人	李炯;鲍芳
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	陈忠辉

摘要

本发明涉及一种用于DNA高密度原位合成的紫外光源，公开了一种可编程UV－LED阵列芯片，其特征在于：所述DNA原位合成的生物制备中用于脱去保护基团的紫外光源采用的是可编程UV－LED阵列芯片，所述阵列芯片以III族氮化物半导体晶圆片作为基底，包括：复数个独立的P型半导体、N型半导体、绝缘层以及多层金属电极，任意一个P型半导体与N型半导体构成一LED单元，各LED单元之间通过多层金属连接。通过计算机的编程操作实现对UV－LED阵列芯片上各LED单元的发光控制，有选择地指定区域内的LED单元光源局部发光，省却了大量的掩膜板的重复使用，改善了DNA原位合成的工艺和成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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