一种Cu掺杂Fe‑N软磁薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610279081.2
IPC分类号：H01F10/18;H01F1/34;H01F41/18
申请日期：
2016-04-29
申请人：
东南大学

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著录项信息

专利名称	一种Cu掺杂Fe‑N软磁薄膜及其制备方法
申请号	CN201610279081.2	申请日期	2016-04-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-13	公开/公告号	CN105761878A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F10/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F10/00 磁性薄膜，如单畴结构的 H01F10/08 按磁层的特性区分的（在基底上施加磁性膜入H01F 41/14）〔3〕 H01F10/10 按成分区分的〔3〕 H01F10/18 是化合物的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;0;/;1;8;;;H;0;1;F;1;/;3;4;;;H;0;1;F;4;1;/;1;8查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市玄武区四牌楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	陈瑾梅;张旭海;董岩;何美平;陈龙;杨星梅;莫丹;曾宇乔;蒋建清
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	张华蒙

摘要

本发明公开了Cu掺杂Fe‑N软磁薄膜，属于软磁薄膜技术领域，其化学通式为(Fe100‑yNy)100‑xCux；其中，y＝25～40，x＝9～18。本发明还公开了该软磁薄膜的制备方法。本发明具有以下优点：1)采用反应磁控溅射方法制备出Cu掺杂Fe‑N软磁薄膜，制备工艺简单，成分控制容易，是工业化生产薄膜的基本工艺方法；2)铜元素来源广泛，成本低，且产物环保无污染；3)可以获得低矫顽力(≤10Oe)、高饱和磁化强度较高(≥1200emu/cc)的软磁薄膜，且磁性在0‑600℃温度范围内均稳定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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