半导体装置以及制造半导体装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710682932.2
IPC分类号：H01L23/48;H01L21/60
申请日期：
2017-08-11
申请人：
瑞萨电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置以及制造半导体装置的方法
申请号	CN201710682932.2	申请日期	2017-08-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-16	公开/公告号	CN107808861A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	安孙子雄哉;江口聪司;斎藤滋晃;谷口大辅;山口夏生
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	欧阳帆

摘要

本发明涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法。本发明提高了半导体装置的特性。具有其中p型柱区域和n型柱区域周期性地布置的超结结构的半导体装置被配置如下。每个n型柱区域都具有包括位于沟槽之间的n型外延层的垂直部以及部署在沟槽的侧面上的锥形嵌入式n型外延膜。每个p型柱区域都包括部署在沟槽内的嵌入式p型外延膜。因而锥形嵌入式n型外延膜被设置在其中将要部署p型柱区域的沟槽的侧壁上，由此允许p型柱区域具有倒梯形形状，从而带来p型柱区域中的p型杂质的浓度变化的裕度增加。导通电阻能够通过n型杂质(例如，As)的横向扩散来降低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供