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在基片的表面制备光刻图形的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911236966.4
  • IPC分类号:G03F7/16
  • 申请日期:
    2019-12-05
  • 申请人:
    上海新微技术研发中心有限公司
著录项信息
专利名称在基片的表面制备光刻图形的方法
申请号CN201911236966.4申请日期2019-12-05
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-08公开/公告号CN112925169A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/16IPC分类号G;0;3;F;7;/;1;6查看分类表>
申请人上海新微技术研发中心有限公司申请人地址
上海市嘉定区城北路235号1号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海新微技术研发中心有限公司当前权利人上海新微技术研发中心有限公司
发明人陈洋;龚燕飞;刘涛
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘元霞
摘要
本申请提供一种在基片的表面制备光刻图形的方法,包括:在基片的表面贴附干膜,所述基片形成有贯通孔,所述干膜覆盖所述贯通孔在所述基片的表面的开口,所述干膜是光敏性干膜;在所述基片的背面贴附高分子薄膜;使用曝光机台的吸盘吸附所述高分子薄膜,并对所述干膜进行曝光处理;以及对曝光后的干膜进行显影处理,以得到所述干膜的光刻图形。根据本申请,在具有贯通孔的基片表面贴附光敏性干膜,通过对干膜进行曝光和显影,能够得到膜厚均匀、关键尺寸均匀且无塌陷的光刻图形。

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