一种纳米Bi2S3薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810231993.8
IPC分类号：C03C17/34
申请日期：
2008-10-29
申请人：
陕西科技大学

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专利名称	一种纳米Bi2S3薄膜的制备方法
申请号	CN200810231993.8	申请日期	2008-10-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-15	公开/公告号	CN101407377
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C17/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C17/00 纤维或丝之外玻璃，例如微晶玻璃的涂覆法表面处理 C03C17/34 用至少两种不同成分的涂层（C03C 17/44优先）〔3〕	IPC分类号	C;0;3;C;1;7;/;3;4查看分类表>
申请人	陕西科技大学	申请人地址	陕西省西安市未央区大学园陕西科技大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陕西科技大学	当前权利人	陕西科技大学
发明人	黄剑锋;王艳;曹丽云;朱辉;殷立雄;吴建鹏
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	张震国

摘要

一种纳米Bi2S3薄膜的制备方法，首先将分析纯的Bi(NO3)3·5H2O加入蒸馏水中配制成A溶液；然后，向A溶液中加入分析纯的Na2S2O3和柠檬酸三钠，并在搅拌下调节pH值为4.3～6.5，制成B溶液；将B溶液置于电沉积装置中，将ITO玻璃基板在乙醇中超声清洗作为阴极，采用石墨为阳极，用阴极恒电压沉积的方式在ITO玻璃基板上制备Bi2S3薄膜；沉积结束后将所制备的薄膜在空气中自然晾干，即得最终产物Bi2S3薄膜。本发明采用电沉积法，制备得到薄膜组成均匀致密，沿(240)晶面取向生长的Bi2S3薄膜。采用超声波辅助溶解Bi(NO3)3·5H2O，无需使用硝酸溶解可以提高反应溶液的稳定性，pH值大范围可调，工艺设备简单，可大面积高效的制备Bi2S3薄膜。

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