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一种半导体用防浸蚀静电卡盘及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910834506.5
IPC分类号：H01L21/683;B05D5/00;B05D1/02
申请日期：
2019-09-05
申请人：
苏州芯慧联半导体科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体用防浸蚀静电卡盘及其制造方法
申请号	CN201910834506.5	申请日期	2019-09-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-29	公开/公告号	CN110517982A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/683 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/683 用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L 21/68）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;B;0;5;D;5;/;0;0;;;B;0;5;D;1;/;0;2查看分类表>
申请人	苏州芯慧联半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市常熟高新技术产业开发区金门路2号2幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州芯慧联半导体科技有限公司	当前权利人	苏州芯慧联半导体科技有限公司
发明人	杨冬野
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种半导体用防浸蚀静电卡盘及其制造方法，静电卡盘的构成包括静电卡盘基板、吸附固定晶圆的介质层、基板与介质层之间的粘附层、保护粘附层免于等离子体浸蚀并防止污染物的产生的防浸蚀层。本发明的优点是制备的防浸蚀层可保护粘附层免于暴露在等离子体环境中，避免由于粘附层受到等离子体浸蚀而产生的颗粒造成的反应腔内加工的晶圆受到污染，同时可以延长静电卡盘的使用寿命。

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