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发光二极管芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510108211.8
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-10-08
  • 申请人:
    璨圆光电股份有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管芯片
申请号CN200510108211.8申请日期2005-10-08
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2007-04-11公开/公告号CN1945861
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人璨圆光电股份有限公司申请人地址
台湾省桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人璨圆光电股份有限公司,韩国京畿道当前权利人璨圆光电股份有限公司,韩国京畿道
发明人陈铭胜;武良文;简奉任
代理机构北京连和连知识产权代理有限公司代理人王永红
摘要
一种发光二极管芯片,其包括基板、静电传导层、第一型掺杂半导体层、活性层、第二型掺杂半导体层、第一电极与第二电极。其中,静电传导层设置于基板上,而第一型掺杂半导体层设置于静电传导层的部分区域上。此外,活性层设置于第一型掺杂半导体层的部分区域上,而第二型掺杂半导体层设置于活性层上。另外,第一电极设置于第一型掺杂半导体层上,而第二电极设置于第二型掺杂半导体层上。本发明之发光二极管芯片具有静电传导层,因此可以避免发光二极管遭受静电放电破坏。

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