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太阳能电池、其发射极层形成方法及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980101217.9
  • IPC分类号:H01L31/042
  • 申请日期:
    2009-04-17
  • 申请人:
    LG电子株式会社
著录项信息
专利名称太阳能电池、其发射极层形成方法及其制造方法
申请号CN200980101217.9申请日期2009-04-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-11-10公开/公告号CN101884115A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/042
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;4;2查看分类表>
申请人LG电子株式会社申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人LG电子株式会社当前权利人LG电子株式会社
发明人俞载成
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉;汤俏
摘要
一种太阳能电池的发射极层的形成方法包括以下步骤:制备包括第一导电类型的第一杂质的基板;在所述基板中扩散与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质,以在所述基板中形成所述发射极层的第一发射极部分;以及选择性地加热所述第一发射极部分的与用于形成至少一个电极的位置相对应的部分,以形成第二发射极部分。

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