低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03115775.0
IPC分类号：--
申请日期：
2003-03-13
申请人：
上海交通大学

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著录项信息

专利名称	低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法
申请号	CN03115775.0	申请日期	2003-03-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-09-17	公开/公告号	CN1442390
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市华山路1954号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	曾新华;姚忻
代理机构	上海交达专利事务所	代理人	毛翠莹

摘要

一种低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法，采用盐类或氧化物类等难挥发性低熔点物质熔化后形成的熔体来密封整个系统，将密封物质装入煅烧小坩埚外的浅形大坩埚中，并用密封坩埚和密封盖盖在小坩埚上，形成双层密封系统，升温到密封物质完全熔化形成密封后，再继续升温进行铅基铁电材料制备。本发明能有效防止铅基铁电材料制备过程中高温下氧化铅组分的挥发，并实现加料或过程中监测等工艺操作的控制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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