一种钙钛矿形核过程的调控方法、钙钛矿薄膜基太阳能电池的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911156823.2
IPC分类号：H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
申请日期：
2019-11-22
申请人：
中南大学

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专利名称	一种钙钛矿形核过程的调控方法、钙钛矿薄膜基太阳能电池的制备方法
申请号	CN201911156823.2	申请日期	2019-11-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-28	公开/公告号	CN110854274A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	中南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中南大学	当前权利人	中南大学
发明人	袁永波;罗师强;蔺云;王继飞
代理机构	长沙永星专利商标事务所（普通合伙）	代理人	何方

摘要

本发明公开了一种钙钛矿形核过程的调控方法、钙钛矿薄膜基太阳能电池的制备方法，本发明基于对含有多组分溶质下卤素钙钛矿晶体形核过程的理解，提出通过调节各组分溶解度的方法控制溶剂化BX2化合物(如PbI2‑DMF，PbI2‑DMSO)及其复合物(如MAI‑PbI2‑DMF，MAI‑PbI2‑DMSO)的偏析结晶，进而实现对溶液中晶种的形核速率、密度及空间分布的调控，得到高结晶质量、晶体取向优化的钙钛矿薄膜；本发明提出了两种具体实施工艺调节钙钛矿偏析结晶过程：1.通过使用AX类添加剂，调控溶剂化铅卤化合物及其复合物的形核速度和密度；2.通过溶液涂膜工艺，控制溶液局部区域的温度、挥发速率，控制溶剂化的BX2化合物及其复合物在不同区域上的偏析结晶，得到结晶性好、形貌均匀的钙钛矿薄膜。

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