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锂二次电池用正极、其制备方法以及包含其的锂二次电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201880042242.3
  • IPC分类号:H01M4/13;H01M4/62;H01M4/139;H01M10/052;H01M4/525;H01M4/505;H01M4/58
  • 申请日期:
    2018-07-09
  • 申请人:
    株式会社LG化学;蔚山科学技术院
著录项信息
专利名称锂二次电池用正极、其制备方法以及包含其的锂二次电池
申请号CN201880042242.3申请日期2018-07-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-02-11公开/公告号CN110785876A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/13IPC分类号H;0;1;M;4;/;1;3;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;4;/;1;3;9;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;;;H;0;1;M;4;/;5;2;5;;;H;0;1;M;4;/;5;0;5;;;H;0;1;M;4;/;5;8查看分类表>
申请人株式会社LG化学;蔚山科学技术院申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社LG化学,蔚山科学技术院当前权利人株式会社LG化学,蔚山科学技术院
发明人闵智媛;金锡九;金永植;J·都勒;许成宇;林英俊
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及一种锂二次电池用正极、其制造方法和包含其的锂二次电池,该正极包括形成在正极集电体上的正极合剂层,其中,该正极合剂层包含正极活性材料和锂离子添加剂,该锂离子添加剂是下式1表示的锂离子传导性陶瓷材料,并且该锂离子传导性陶瓷材料具有锂离子额外插入到NASICON型(Na超离子导体型)结构的空位中的结构。[式1]Li1+x1+y1M12‑x1M2x1(PO4)3,在式1中,M1为Ti和Ge中的至少一种,M2为选自由Al、Cr、Ga、Fe、Sn、In、Lu、Y和La组成的组中的一种或多种,且0

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