具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410080015.X
IPC分类号：H01F1/047;C30B29/52;C30B15/00
申请日期：
2004-09-24
申请人：
中国科学院物理研究所

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著录项信息

专利名称	具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法
申请号	CN200410080015.X	申请日期	2004-09-24
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-04-27	公开/公告号	CN1610020
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/047 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/01 无机材料的（H01F 1/44优先）〔6〕 H01F1/03 按其矫顽力区分的〔6〕 H01F1/032 硬磁材料的〔6〕 H01F1/04 金属或合金〔6〕 H01F1/047 按其成分区分的合金〔5，6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;0;4;7;;;C;3;0;B;2;9;/;5;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	刘国栋;柳祝红;代学芳;朱志永;陈京兰;吴光恒
代理机构	北京中创阳光知识产权代理有限责任公司	代理人	尹振启

摘要

本发明公开了一种具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为MnxNiyGaz，其中，37＜x＜55，20＜y＜38，20＜z＜30，x+y+z＝100，x、y、z表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用提拉法生长MnxNiyGaz磁性单晶。本发明提供的具有双向形状记忆效应的磁性材料，其马氏体相变的各个特征温度点可通过改变Mn，Ni，Ga组成比而被转变或根据用途加以调整，马氏体相变的开始温度可被选为在36K和350K范围内符合应用的需要，而居里点Tc可被选为在140℃和330℃的范围内符合应用的需要。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，因此成本低，易于工业化批量生产。

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