一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610117643.3
IPC分类号：C25D11/34;B82Y40/00
申请日期：
2016-03-02
申请人：
沈阳建筑大学

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专利名称	一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法
申请号	CN201610117643.3	申请日期	2016-03-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-06	公开/公告号	CN105734643A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D11/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D11/00 表面反应，即形成转化层的电解覆层〔2〕 C25D11/02 阳极氧化〔2〕 C25D11/34 不包含在C25D 11/04至C25D 11/32各组中之金属或合金的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;1;/;3;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	沈阳建筑大学	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南新区浑南东路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沈阳建筑大学	当前权利人	沈阳建筑大学
发明人	万晔;丁晓雯;宋智远;王欢;张亚
代理机构	沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吕敏

摘要

一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用三电极体系，在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中，银基体为工作电极，设定特定的极化电位区间对银基板进行电化学极化，在银基板表面直接原位生长出纳米氧化银薄膜，薄膜微观结构为颗粒状，晶粒粒径小于200nm。本发明方法步骤简单，成本低廉，不受银基板形状的限制。本发明在常温下就可得到纳米氧化银薄膜，该薄膜与基底之间的附着力强，不易脱落，可直接用于电子元器件、扣式电池、净化剂、化工催化剂等器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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