芯片封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010655367.2
IPC分类号：H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56
申请日期：
2020-07-09
申请人：
南茂科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	芯片封装结构及其制造方法
申请号	CN202010655367.2	申请日期	2020-07-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113380768A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/552 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	南茂科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南茂科技股份有限公司	当前权利人	南茂科技股份有限公司
发明人	许翰诚
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	朱颖;臧建明

摘要

本发明提供一种芯片封装结构，其包括重布线路层、芯片、封装胶体、电磁屏蔽结构以及多个导电端子。重布线路层具有第一表面与相对于第一表面的第二表面。芯片位于第一表面上。芯片具有面向重布线路层的有源面。封装胶体包封芯片。电磁屏蔽结构位于第一表面上且围绕封装胶体。电磁屏蔽结构包括金属框架与金属层，且金属框架覆盖所述封装胶体的侧壁，而金属层覆盖封装胶体的顶面。多个导电端子位于第二表面上。电磁屏蔽结构通过重布线路层与导电端子中的至少一接地端子电性连接。另提供一种芯片封装结构的制造方法。

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