一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610772489.3
IPC分类号：G11C29/50;G11C29/18
申请日期：
2016-08-30
申请人：
北京中电华大电子设计有限责任公司

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著录项信息

专利名称	一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法
申请号	CN201610772489.3	申请日期	2016-08-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-10	公开/公告号	CN106653094A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/50 容限测试，例如，竞争、电压或电流测试〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;5;0;;;G;1;1;C;2;9;/;1;8查看分类表>
申请人	北京中电华大电子设计有限责任公司	申请人地址	北京市昌平区北七家未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京中电华大电子设计有限责任公司	当前权利人	北京中电华大电子设计有限责任公司
发明人	蒋玉茜;蒙卡娜
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种消除高安全智能卡芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致，在测试COS中嵌入预加解密函数，对数据进行预加解密处理，保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法，能够覆盖典型物理失效模式，有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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