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用于在半导体本体中制造插塞的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110420023.4
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2011-12-15
  • 申请人:
    英飞凌科技奥地利有限公司
著录项信息
专利名称用于在半导体本体中制造插塞的方法
申请号CN201110420023.4申请日期2011-12-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102569175A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人英飞凌科技奥地利有限公司申请人地址
奥地利菲拉赫 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技奥地利有限公司当前权利人英飞凌科技奥地利有限公司
发明人O.布兰克;R.西米尼克;M.H.韦勒迈耶
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人马永利;卢江
摘要
本发明公开了用于在半导体本体中制造插塞的方法。一种用于在半导体层中制造电极的方法包括:提供具有第一表面和第二表面的衬底;形成第一槽,所述第一槽具有侧壁并且从所述第一表面延伸到所述衬底中;以及在所述第一槽中形成插塞。所述方法还包括:通过在所述第一表面开始去除半导体材料来减小所述半导体衬底的厚度,以便至少部分地暴露所述插塞的侧壁;以及在所述半导体衬底上形成半导体层,所述半导体层至少部分地覆盖所述插塞的暴露侧壁,并且具有上表面。

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