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用于提高的倒装芯片封装可靠性的管芯级金属密度梯度

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780020417.2
  • IPC分类号:H01L21/76
  • 申请日期:
    2007-03-30
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称用于提高的倒装芯片封装可靠性的管芯级金属密度梯度
申请号CN200780020417.2申请日期2007-03-30
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-06-17公开/公告号CN101461054
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/76IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
美国得克萨斯 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人恩智浦美国有限公司当前权利人恩智浦美国有限公司
发明人S·K·波兹德;K·J·海斯;田锐骐;E·O·特拉维斯;T·S·尤林;B·P·维尔克森;K·C·虞
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人屠长存
摘要
集成电路(11)在顶表面上具有金属凸块(80),其在下层(91-97)上建立了形成金属凸块时可能有破坏性的应力。已实施在底层金属互连层(91、93、95、97)中确保最小金属密集度来减低破坏效应。最小金属密集度在拐角处最高,其次是沿着不在拐角的边界,且接着是内部。通常在金属凸块(80)下面的互连层(91、93、95、97)中的区域需要比不在凸块下面的邻接区域大的密集度。对于进一步远离集成电路(11)的表面的金属互连层(95、97)需要更少的密集度。所希望的金属密集度是通过首先尝试较简单的方案来实现。如果没有效,则尝试不同的方法直至达到最小密集度或者直至尝试了最后的方法。

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