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半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011407727.3
IPC分类号：H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
申请日期：
2020-12-04
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置
申请号	CN202011407727.3	申请日期	2020-12-04
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113097176A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	傅世刚;李明翰;眭晓林
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	聂慧荃;闫华

摘要

本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括介电层及接点结构，介电层位于基板上，接点结构埋置于介电层中。接点结构包括扩散阻挡层以接触介电层，且扩散阻挡层包括含钛合金。导电结构还包括衬垫层于扩散阻挡层上，且衬垫层包括贵金属。接点结构还包括导电插塞于衬垫层上。

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